数据手册DataSheet 下载FDD6796A 25V N沟道PowerTrench® MOSFET.pdf

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。 欲了解更多信息,请访问 模型页面.

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FDD6796A量产 符合 RoHS 标准$0.435TO-252 3L (DPAK) - 细节 2.285 x 6.54 x 9.905mm
to-252 3l (dpak) 示意图
to252-3l, jedec option aa reel packing drawing
to252-3l, packing drawing
to252-3l packing drawing
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDD 第三行:6796AESD (CDM) : 2000 V ESD (HBM) : 600 V RƟJA : 40 °C/W 显示更多... RƟJC : 3.6 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 Max Reflow Temp : 260
应用领域
技术资料
MOSFET Basics Last Update : 09-Sep-2013
A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System Last Update : 03-Mar-2011
FRFET® in Synchronous Rectification Last Update : 28-Jun-2014
Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs Last Update : 26-Nov-2014
Power MOSFET Avalanche Guideline Last Update : 05-Mar-2011