数据手册DataSheet 下载：FQP12N60C N 沟道 QFET® MOSFET.pdf
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合高效开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
| 订购型号 | 产品状态 | 定价 | 封装&包装信息 | 封装丝印 | 资格支持 |
| FQP12N60C | 不推荐用于新设计 符合 RoHS 标准 | N/A | TO-220 3L - 细节 4.83 x 10.16 x 8.89mm to-220 3l 示意图 to220-3l, jedec variation, packing drawing | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行:FQP 第三行:12N60C | RƟJA : 62.5 °C/W RƟJC : 0.56 °C/W |
