数据手册DataSheet 下载：FQP6N60C 600V N沟道QFET® C系列.pdf
这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大程度地降低导通阻抗，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合高效开关电源、功率因数校正和半桥拓扑的电子灯整流器。
| 订购型号 | 产品状态 | 定价 | 封装&包装信息 | 封装丝印 | 资格支持 |
| FQP6N60C | 不推荐用于新设计 符合 RoHS 标准 | N/A | TO-220 3L - 细节 4.83 x 10.16 x 8.89mm to-220 3l 示意图 to220-3l, jedec variation, packing drawing | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行:FQP 第三行:6N60C | RƟJA : 62.5 °C/W RƟJC : 1 °C/W |
