FQP9N50C N 沟道 QFET®MOSFET 500 V、9 A、800 mΩ _ BDTIC a Leading Distributor in China

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这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用Fairchild专有的平面条形 DMOS 技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源、功率因数校正和半桥拓扑的电子灯整流器。欲了解更多信息，请访问模型页面.

产品特点

9 A、500 V、RDS(on) = 800 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 4.5 A
低栅极电荷（典型值 28 nC)
低 Crss（典型值 24 pF)
100% 经过雪崩击穿测试

订购型号

订购型号	产品状态	定价	封装&包装信息	封装丝印	资格支持
FQP9N50C	不推荐用于新设计符合 RoHS 标准	N/A	TO-220 3L - 细节 4.83 x 10.16 x 8.89mm to-220 3l 示意图 to220-3l, jedec variation, packing drawing	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行:FQP 第三行:9N50C	RƟJA : 62.5 °C/W RƟJC : 0.93 °C/W