数据手册DataSheet 下载FQPF10N60C N 沟道 QFET® MOSFET 600 V、9.5 A、730 mΩ.pdf

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻,提供卓越开关性能,以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合高效开关电源、功率因数校正和半桥拓扑的电子灯整流器。 欲了解更多信息,请访问 模型页面.

产品特点
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FQPF10N60C不推荐用于新设计 符合 RoHS 标准N/ATO-220F 3L - 细节 4.7 x 10.06 x 15.87mm
to-220f 3l 示意图
to220-3l, full pack, straight lead, packing drawing
to220f-3l, packing drawing
to220-3l full packing tube packing drawing
to220f_packing drawing
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行:FQPF 第三行:10N60CRƟJA : 62.5 °C/W RƟJC : 2.5 °C/W
技术资料
Power MOSFET Avalanche Guideline Last Update : 05-Mar-2011
MOSFET Basics Last Update : 09-Sep-2013
A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System Last Update : 03-Mar-2011
FRFET® in Synchronous Rectification Last Update : 28-Jun-2014
Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs Last Update : 26-Nov-2014