数据手册DataSheet 下载：FQPF10N60C N 沟道 QFET® MOSFET 600 V、9.5 A、730 mΩ.pdf
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合高效开关电源、功率因数校正和半桥拓扑的电子灯整流器。 欲了解更多信息，请访问 模型页面.
| 订购型号 | 产品状态 | 定价 | 封装&包装信息 | 封装丝印 | 资格支持 |
| FQPF10N60C | 不推荐用于新设计 符合 RoHS 标准 | N/A | TO-220F 3L - 细节 4.7 x 10.06 x 15.87mm to-220f 3l 示意图 to220-3l, full pack, straight lead, packing drawing to220f-3l, packing drawing to220-3l full packing tube packing drawing to220f_packing drawing | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行:FQPF 第三行:10N60C | RƟJA : 62.5 °C/W RƟJC : 2.5 °C/W |
