数据手册DataSheet 下载：FQPF8N60C N 沟道 QFET® MOSFET 600V，7.5A，1.2Ω.pdf
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
| 订购型号 | 产品状态 | 定价 | 封装&包装信息 | 封装丝印 | 资格支持 |
| FQPF8N60CT | 从2011年12月13日起停产 符合 RoHS 标准 替代部件编号: FDPF7N60NZ | N/A | TO-220F 3L - 细节 4.7 x 10.06 x 15.87mm to-220f 3l 示意图 to220-3l, full pack, straight lead, packing drawing to220f-3l, packing drawing to220-3l full packing tube packing drawing to220f_packing drawing | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行:FQPF 第三行:8N60CT | RƟJA : 62.5 °C/W RƟJC : 2.6 °C/W |
