数据手册DataSheet 下载：HUF76413DK_F085 N 沟道逻辑电平 UltraFET® 电源 MOSFET 60V，4.8A，56mΩ.pdf

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET®工艺制造。 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。 此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 设计用于电源效率很重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关，以及便携式产品和电池供电产品中的电源管理。

产品特点

• 150°C最大结温
• UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
• 超低通态电阻rDS(ON) = 0.049Ω, VGS = 10V
• 超低通态电阻rDS(ON) = 0.056Ω, VGS = 5V
• 符合AEC Q101
• 符合RoHS标准

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应用领域

• 信息娱乐
• 便携导航
• 信息娱乐
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用

技术资料

• Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
• AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系(909 K) 2013年8月27日
• AN-9065 同步整流中的 FRFET®(356 K) 2013年9月09日
• A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
• 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日
• A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
• MOSFET 基础(1,099 K) 2013年9月19日
• AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南(466 K) 2013年8月27日
• Guidelines for Pb-Free Soldering of Fairchild Components Based on JEDEC® J-STD 20D / IEC EN 61760-1:2006(513 K) 2013年10月08日