数据手册DataSheet 下载：HUFA76419D_F085 20 A, 60 V, 0.043 Ω, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs.pdf

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产品特点

• 超低导通电阻
• RDS(ON) = 0.037 Ω，VGS = 10 V
• RDS(ON) = 0.043 Ω，VGS = 5 V
• 仿真模型
• 温度补偿式PSPICE®和SABERTM电气模型
• SPICE和SABER热阻抗模型
• 峰值电流与脉宽曲线
• UIS额定值曲线
• 开关时间与RGS曲线的关系

订购型号

技术资料

• Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
• AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系(909 K) 2013年8月27日
• AN-9065 同步整流中的 FRFET®(356 K) 2013年9月09日
• A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
• 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日
• A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
• MOSFET 基础(1,099 K) 2013年9月19日
• AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南(466 K) 2013年8月27日
• Guidelines for Pb-Free Soldering of Fairchild Components Based on JEDEC® J-STD 20D / IEC EN 61760-1:2006(513 K) 2013年10月08日