数据手册DataSheet 下载：IRLM120A N 沟道 A-FET 200 V、1.13 A、800 mΩ.pdf

产品特点

• 雪崩耐用技术
• 坚固的门栅氧化层技术与较低的输入电容
• 增加的栅极电荷
• 增加安全工作区域范围
• 更低的漏电流： 10 µA（最大值）@ VDS = 200 V
• 更低的 RDS(ON)： 0.609 Ω（典型值）

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技术资料

• AN-9065 同步整流中的 FRFET®(356 K) 2013年9月09日
• A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
• 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日
• A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
• MOSFET 基础(1,099 K) 2013年9月19日
• Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
• AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系(909 K) 2013年8月27日
• AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南(466 K) 2013年8月27日

Power MOSFET Avalanche Guideline Last Update : 05-Mar-2011

MOSFET Basics Last Update : 09-Sep-2013

A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System Last Update : 03-Mar-2011

FRFET® in Synchronous Rectification Last Update : 28-Jun-2014

Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs Last Update : 26-Nov-2014