数据手册:MAX5969D 100V、IEEE 802.3af/at PD接口控制器,休眠模式有效节省功耗 .pdf [英文Rev.0(PDF,1.2MB)]
数据手册:MAX5969D 100V、IEEE 802.3af/at PD接口控制器,休眠模式有效节省功耗 .pdf [中文Rev.0(PDF,1.4MB)]
{状况:生产中。}MAX5969D为用电设备(PD)提供完整的接口电路,符合以太网供电(PoE)系统IEEE® 802.3af/at标准。MAX5969D为PD提供侦测信号、分级信号以及带有浪涌电流控制的集成隔离功率开关。发生浪涌期间,MAX5969D将浪涌电流限制在180mA以内,直到隔离功率MOSFET完全开启后切换到较高的限流值(720mA至880mA)。器件具有输入UVLO,带有滞回和长周期干扰脉冲屏蔽,以补偿双绞线电缆的阻性衰减,确保上电/掉电期间无干扰传输。MAX5969D输入能够承受高达100V的电压。 MAX5969D支持IEEE 802.3at标准规定的2级事件分级方法,并提供一个信号用于指示2类供电设备(PSE)的侦测情况。器件检测墙上适配器电源的连接状态,允许从PoE电源平滑切换到墙上适配器电源。 MAX5969D还提供电源就绪(PG)指示、2级限流和折返式保护、过热保护以及di/dt限制。MAX5969D采用16引脚、5mm x 5mm、TQFN功率封装,工作在-40°C至+85°C扩展级温度范围。
产品关键特性
| 应用与使用范围
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订购型号 | 产品状态 | 封装形式 | 工作温度 | RoHS/无铅 |
MAX5969DETE+ | 生产中 | TQFN;16引脚;26mm²封装信息 | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅材料分析 |
MAX5969DETE+T | 生产中 | TQFN;16引脚;26mm²封装信息 | -40°C至+85°C | RoHS/无铅:无铅材料分析 |
MAX5969C | IEEE 802.3af/at兼容的PD设备接口控制器,集成功率MOSFET |
MAX5969E | IEEE 802.3af/at兼容的PD设备接口控制器,集成功率MOSFET |
MAX5969A | IEEE 802.3af/at兼容、受电设备接口控制器,集成功率MOSFET |
MAX5969B | IEEE 802.3af/at兼容、受电设备接口控制器,集成功率MOSFET |
MAX5969BEVKIT | MAX5969A和MAX5969B评估板 |
MAX5969AEVKIT | MAX5969A和MAX5974A评估板 |