X3G-OH047、X3G-OH048、X3T-OH047和X3T-OH048均为灵敏的磁场传感器，具有薄膜坡莫合金的磁阻效应。这些传感器集成两个平行供电的惠斯通电桥，相互之间的相对角度为45°。

表面与芯片（x-y平面）平行的旋转磁场将产生两个独立的正弦输出信号，一个遵循cos(2α)函数，另一个遵循sin(2α)函数；α表示传感器和磁场方向之间的角度。

X3G-OH047、X3G-OH048、X3T-OH047和X3T-OH048适用于低磁场强度条件下的高精度角度测量应用（饱和磁场强度为25 kA/m）。

传感器的工作频率范围为直流至1 MHz。

数据手册中的所有产品型号均针对单芯片（单个传感器）有效。双芯片器件集成两个磁场传感器，其电磁参数表征的是单芯片的额定值，并且互相之间无关。