Power MOSFET 30V 10.7A 9mOhm Single N-Channel UDFN6
特性
| 优势
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应用
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Document Title | Document ID/Size | Revision | Revision Date |
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PSpice Model | NTLUS4C12N.LIB (1.0kB) | 0 | |
Saber Model | NTLUS4C12N.SIN (1.0kB) | 0 | |
Spice2 Model | NTLUS4C12N.SP2 (1.0kB) | 0 | |
Spice3 Model | NTLUS4C12N.SP3 (1.0kB) | 0 |
Document Title | Document ID/Size | Revision |
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UDFN6, 2x2, 0.65P | 517BG (66.7kB) | A |
Document Title | Document ID/Size | Revision | Revision Date |
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30 V, 10.7 A, Single N-Channel, Power MOSFET | NTLUS4C12N/D (84kB) | 1 | Dec, 2014 |
产品 | 状况 | Compliance | 具体说明 | 封装 | MSL* | 容器 | 预算价格 (1千个数量的单价) | ||
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NTLUS4C12NTAG | Active | Pb-free Halide free | Power MOSFET 30V 10.7A 9mOhm Single N-Channel UDFN6, Power MOSFET 30V 10.7A 9mOhm Single N-Channel UDFN6 | UDFN-6 | 517BG | 1 | Tape and Reel | 3000 | $0.2667 |
NTLUS4C12NTBG | Active | Pb-free Halide free | Power MOSFET 30V 10.7A 9mOhm Single N-Channel UDFN6, Power MOSFET 30V 10.7A 9mOhm Single N-Channel UDFN6 | UDFN-6 | 517BG | 1 | Tape and Reel | 3000 | $0.2667 |
Product | Channel Polarity | Configuration | V(BR)DSS Min (V) | VGS Max (V) | VGS(th) Max (V) | ID Max (A) | PD Max (W) | rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) | rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | Qrr Typ (nC) | Ciss Typ (pF) | Coss Typ (pF) | Crss Typ (pF) |
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NTLUS4C12NTAG | N-Channel | Single | 30 | 20 | 2.1 | 10.7 | 1.54 | 12 | 9 | 2.2 | 20 | 1172 | 546 | 26 | |||
NTLUS4C12NTBG | N-Channel | Single | 30 | 20 | 2.1 | 10.7 | 1.54 | 12 | 9 | 2.2 | 20 | 1172 | 546 | 26 |