数据手册DataSheet 下载：2N7000BU 60V N 沟道小信号 MOSFET.pdf
这些 N 沟道增强型场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度 DMOS 技术生产。 这些产品旨在最大限度地降低通态电阻，同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 它们可用于大部分需要高达 400mA 直流电流的应用，并且能够提供高达 2A 的脉冲电流。这些产品特别适合低压、低电流应用（如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器）以及其它开关应用。
| 订购型号 | 产品状态 | 定价 | 封装&包装信息 | 封装丝印 | 资格支持 |
| 2N7000BU | 量产 符合 RoHS 标准 | $0.0564 | TO-92 3L - 细节 4.19 x 5.2 x 20.95mm to-92 3l 示意图 to92-3l, packing drawing | 第一行:2N 第二行:7000 第三行:- YWW | RƟJA : 312.5 °C/W |
