FCU5N60: N 沟道 SuperFET® MOSFET 600 V, 4.6 A, 950 mΩ _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

FCU5N60: N 沟道 SuperFET® MOSFET 600 V, 4.6 A, 950 mΩ

不推荐新设计使用截至2010年6月23日

SuperFET® MOSFET 是飞兆半导体第一代利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结（SJ）MOSFET 系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。

FCU5N60 数据手册

特性

650 V @ T_J = 150°C
典型值 R_DS(on) = 810 mΩ
超低栅极电荷（典型值 Q_g = 16 nC)
低有效输出电容（典型值 C_oss(eff.) = 32 pF)
100% 经过雪崩击穿测试
符合 RoHS 标准

**Ordering Code 订购信息**
产品	产品和生态状况	替代部件编号	包装方法规则	丝印标记
FCU5N60TU	不推荐新设计使用截至2010年6月23日绿色：截至2010年7月中国 RoHS	无	TO-251 3L (IPAK) - 2.5 x 6.8 x 17.22mm, 管装 PDF TO-251 3L (IPAK) 示意图最后更新: 2016年5月 PDF TO251-3L (IPAK), OPTION AA, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FCU 第三行5N60