FDB3652: N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 61A, 16mΩ

不推荐新设计使用截至2009年2月17日

FDB3652 数据手册
特性
  • rDS(ON) = 14mΩ(Typ.), VGS = 10V, ID = 61A
  • Qg(tot) = 41nC (Typ.), VGS = 10V
  • Low Miller Charge
  • Low Qrr Body Diode
  • UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Ordering Code 订购信息
产品产品和生态状况替代部件编号包装方法规则丝印标记
FDB3652不推荐新设计使用截至2009年2月17日 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日  中国 RoHS
TO-263 2L (D2PAK)  -  4.445 x 10.16 x 15.24mm,  卷带第一行$Y (飞兆徽标)
&Z (工厂编码)
&3 (3 位日期代码)
&K

第二行FDB3652

FDB36520.70.655150
应用指南
  • AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日
  • AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日
  • AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南 最后更新 : 2013年8月27日
  • AN-9010 MOSFET 基础 最后更新 : 2014年6月28日
  • AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日
  • AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系 最后更新 : 2013年8月27日
  • AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日
  • AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日
  • AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计 最后更新 : 2014年11月26日
  • Power MOSFET Avalanche Guideline Last Update : 05-Mar-2011
    MOSFET Basics Last Update : 09-Sep-2013
    A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System Last Update : 03-Mar-2011
    FRFET® in Synchronous Rectification Last Update : 28-Jun-2014
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs Last Update : 26-Nov-2014