FDD3682: N沟道Power Trench® MOSFET，100V，32A，0.036 ohm

不推荐新设计使用截至2008年6月17日

FDD3682 数据手册
特性
  • rDS(ON) = 32mΩ（典型值），VGS = 10V，ID = 32A
  • Qg(tot) = 18.5nC（典型值），VGS = 10V
  • 低密勒电荷
  • 低Qrr体二极管
  • UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
  • 符合AEC Q101，以前的开发类型为82755
  • 符合RoHS标准
Ordering Code 订购信息
产品产品和生态状况替代部件编号包装方法规则丝印标记
FDD3682不推荐新设计使用截至2008年6月17日 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日  中国 RoHS无
TO-252 3L (DPAK)  -  2.285 x 6.54 x 9.905mm,  卷带第一行$Y (飞兆徽标)
&Z (工厂编码)
&3 (3 位日期代码)
&K

第二行FDD3682

FDD36820.70.655150
应用指南
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