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首页 > FAIRCHILD 飞兆半导体 > FET > FDD6N50

FDD6N50: N 沟道 UniFETTM MOSFET 500V,6A,900mΩ

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及照明设备用镇流器。

数据手册DataSheet
FDD6N50.pdf
特性
  • RDS(on) = 900mΩ (最大值)@ VGS = 10V, ID = 3A
  • 低栅极电荷(典型值 12.8nC)
  • 低 Crss(典型值 9pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 提高了 dv/dt 处理能力
Ordering Code
产品产品和生态状况单价/1K包装方法规则丝印标记
FDD6N50TM量产 绿色:截至2012年10月  中国 RoHS$0.792TO-252 3L (DPAK)  -  2.285 x 6.54 x 9.905mm,  卷带
  • TO-252 3L (DPAK)  示意图 最后更新: 2016年6月
  • TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING 最后更新: 2016年10月
  • TO252-3L, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月
  • TO252-3L packing drawing 最后更新: 2013年5月
第一行$Y (飞兆徽标)
&Z (工厂编码)
&3 (3 位日期代码)
&K

第二行FDD

第三行6N50

FDD6N50TM_WS量产 绿色:截至2012年11月  中国 RoHS$0.792TO-252 3L (DPAK)  -  2.285 x 6.54 x 9.905mm,  卷带
  • TO-252 3L (DPAK)  示意图 最后更新: 2016年6月
  • TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING 最后更新: 2016年10月
  • TO252-3L, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月
  • TO252-3L packing drawing 最后更新: 2013年5月
第一行$Y (飞兆徽标)
&Z (工厂编码)
&3 (3 位日期代码)
&K

第二行FDD

第三行6N50S

Application Notes
  • AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日
  • AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系 最后更新 : 2013年8月27日
  • AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计 最后更新 : 2014年11月26日
  • AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日
  • AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日
  • AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日
  • AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南 最后更新 : 2013年8月27日
  • AN-9010 MOSFET 基础 最后更新 : 2014年6月28日
  • AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日
  • AN-9066 UniFET™ Optimized Switch for Discontinuous Current Mode Power Factor Correction 最后更新 : 2011年3月03日
  • AN-9725 谐振变换器用新品功率MOSFET-UniFET™ II耐用体二极管特性 最后更新 : 2014年1月13日
  • FDD6N50.pdf
    MOSFET Basics Last Update : 09-Sep-2013
    A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System Last Update : 03-Mar-2011
    FRFET® in Synchronous Rectification Last Update : 28-Jun-2014
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs Last Update : 26-Nov-2014
    Power MOSFET Avalanche Guideline Last Update : 05-Mar-2011
    Robust Body Diode Characteristics of the Latest Power MOSFETs, UniFET™ II for Resonant Converters Last Update : 28-Jun-2014
    TO-252 3L (DPAK)  Drawing Last Update: Jun 2016
    TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING Last Update: Oct 2016
    TO252-3L, PACKING DRAWING Last Update: May 2013
    TO252-3L packing drawing Last Update: May 2013
    A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options Last Update : 05-Mar-2011
    A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation Last Update : 05-Mar-2011
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation Last Update : 23-Oct-2014
    Introduction to Power MOSFETs and their Applications Last Update : 29-Mar-2016
    UniFET™ Optimized Switch for Discontinuous Current Mode Power Factor Correction Last Update : 03-Mar-2011
    Products 产品服务
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