FDFME2P823ZT: -20V Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode

该器件专门设计为单封装解决方案，适合蜂窝手机和其他超便携应用的电池充电开关。 该器件具有一个低通态电阻的MOSFET和一个独立连接的低正向电压肖特基二极管，可最大限度地降低传导损耗。

MicroFET 1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。

特性

• V_GS = -4.5 V，I_D = -2.3 A时，最大r_DS(on) = 142 mO
  
• V_GS = -2.5 V，I_D = -1.8 A_{时，最大r}DS(on)
  = 213mO
• 最大 r_DS(on) = 331 mO V_GS = -1.8 V, I_D = -1.5 A
  
• V_GS = -1.5 V，I_D = -1.2 A_{时，最大r}DS(on)
  = 530mO
• 薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
  
• 肖特基： V_F < 0.57 V (1A)
  
• 不含有卤化合物和氧化锑
  
• HBM静电放电保护等级为>1600V（注3）
  
• 符合 RoHS 标准
  

应用指南