FDFS2P106A: 集成式60V P沟道PowerTrench® MOSFET和肖特基二极管

FDFS2P106A将飞兆PowerTrench MOSFET技术所具有的卓越性能与正向压降非常低的肖特基势垒整流器融合在SO-8封装中。

此器件专门设计为DC至DC转换器的单封装解决方案。 它具有快速开关、低栅极电荷的MOSFET以及极低的通态电阻。 独立连接的肖特基二极管允许其在大量DC/DC转换器拓扑下使用。

特性

• -3.0A, -60 V
  
  • RDS(on) = 110 mΩ（VGS = -10 V时）
  • RDS(on) = 140 mΩ（VGS = -4.5 V时）
• R_DS(on) = 110 mΩ（V_GS = -10 V时）
  
• R_DS(on) = 140 mΩ（V_GS = -4.5 V时）
  
• V_F < 0.45 V @ 1 A (T_J = 125°C)
  
  • VF < 0.53 V @ 1 A
  • VF < 0.62 V @ 2 A
• V_F < 0.53 V @ 1 A
  
• V_F < 0.62 V @ 2 A
  
• 肖特基二极管和MOSFET已整合在单电源表面贴装SO-8封装中
  
• 电气独立的肖特基二极管和MOSFET引脚，可实现设计的灵活性