FDMA1430JP:-30V 集成式 P 沟道 PowerTrench® MOSFET 和 BJT
该器件特别设计为一个单封装解决方案，适用于手机和其他超便携应用的负载开关。 在其节省空间的 MicroFET2x2 封装内具有 50 V NPN BJT 和 30 V P 沟道 MOSFET 产品，从而提供出色热性能，因其物理尺寸非常适合于线性模式应用。
技术特性
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDMA1430JP | 量产 从2012年5月起符合绿色标准 |
$0.363 |
MLP 2x2 6L (MicroFET) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:&Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行:143 |
RTHETA (JA) : 86 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 Max Reflow Temp : 260 |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
| AN-1025 | Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-3 Power MOSFETs(260 K) 2011年3月05日 |
数据资料DataSheet下载
| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| -30V 集成式 P 沟道 PowerTrench® MOSFET 和 BJT | J112 | 1 |
