FDMA507PZ: -20V单P沟道PowerTrench® MOSFET

该器件专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。 它具有带低通态电阻的MOSFET。MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。

特性

• V_GS = -5 V，I_D = -7.8 A时，最大r_DS(on) = 24mΩ
  
• V_GS = -4.5 V，I_D = -7 A时，最大r_DS(on) = 25mΩ
  
• V_GS = -2.5 V，I_D = -5.5 A时，最大r_DS(on) = 35mΩ
  
• V_GS = -1.8 V，I_D = -4 A时，最大r_DS(on) = 45mΩ
  
• 薄型 – 最大0.8mm – 采用MicroFET2x2 mm封装
  
• HBM ESD保护等级>3.2KV，典型值（注3）
  
• 不含有卤化合物和氧化锑
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes