FDMA908PZ: -12V单P沟道PowerTrench® MOSFET

该器件专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。 包含一个具有低通态电阻的MOSFET和齐纳二极管防静电放电保护。 MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。

特性

• 最大值 r_DS(on) = 12.5 mΩ（需 V_GS = -4.5 V 且 I_D = -12 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 18 mΩ（需 V_GS = -2.5 V 且I_D = -10 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 28 mΩ（需 V_GS = -1.8 V 且I_D = -8 A
  
• 薄型 – 最大 0.8mm，采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装
  
• HBM 静电放电保护等级 > 2.8 kV 典型值 （注 3）
  
• 无卤素化合物和锑氧化物
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes