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FDMC8462: 40V N沟道PowerTrench® MOSFET
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
数据手册DataSheet
FDMC8462.pdf
特性
V
GS
= 10V,I
D
= 13.5A时,最大r
DS(on)
= 5.8 mΩ
V
GS
= 4.5V,I
D
= 11.8A时,最大r
DS(on)
= 8.0 mΩ
薄型 - 最大1 mm,采用Power 33封装
100%经过UIL测试
符合RoHS标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDMC8462
量产 绿色:截至2007年10月 中国 RoHS
$0.9753
PQFN 3.3x3.3 8L (Power 33) - 1.1 x 3.3 x 3.3mm, 卷带
PQFN 3.3x3.3 8L (Power 33) 示意图
最后更新: 2015年1月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FDMC
第三行
8462
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最后更新 : 2011年3月05日
FDMC8462.pdf
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Last Update: Jan 2015
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Last Update : 05-Mar-2011
A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
Last Update : 05-Mar-2011
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
Last Update : 23-Oct-2014
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
Last Update : 29-Mar-2016
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