FDMC86102LZ: 100V N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench® MOSFET

各 N 沟道逻辑电平 MOSFET 均采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺制造而成，集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。

特性

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  
• 最大 r_DS(on)=24 mΩ，当 V_GS=10 V、I_D=6.5 A
  
• 最大 r_DS(on)=35 mΩ，当 V_GS=4.5 V、I_D=5.5 A
  
• HBM 静电放电保护等级一般达到 >6 KV（注 4）
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes