FDME1023PZT: -20V双P沟道PowerTrench® MOSFET

该器件专门设计为单封装解决方案，适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。 该器件具有两个带低通态电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。 当连接为典型共源配置时，可以实现双向电流流动。MicroFET 1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。

特性

• V_GS = -4.5 V，I_D = -2.3 A时，最大r_DS(on) = 142 mO
  
• V_GS = -2.5 V，I_D = -1.8 A_{时，最大r}DS(on)
  = 213mO
• V_GS = -1.8 V，I_D = -1.5 A_{时，最大r}DS(on)
  = 331mO
• V_GS = -1.5 V，I_D = -1.2 A_{时，最大r}DS(on)
  = 530mO
• 薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
  
• 不含有卤化合物和氧化锑
  
• HBM静电放电保护等级为>1600V（注3）
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes