FDMS3604AS 30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET™ (Q2)旨在提供优化的功效。欲了解更多信息，请访问模型页面. Power Stage Asymmetric Dual MOSFETs 查看所有视频

产品特点

Q1： N沟道
VGS = 10 V且ID = 13 A时，最大RDS(on) = 8 mΩ
在VGS = 4.5 V且ID = 11 A时，最大值RDS(on) = 11 mΩ Q2： N沟道
在VGS = 10 V且ID = 23 A时，最大值RDS(on) = 2.6 mΩ
在VGS = 4.5 V且ID = 21 A时，最大值RDS(on) = 3.5 mΩ
低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗
MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
符合RoHS标准

订购型号

订购型号	产品状态	定价	封装&包装信息	封装丝印	资格支持
FDMS3604AS	量产从2010年11月起符合绿色标准	$1.32	PQFN 5x6 8L (Power 56) - 细节 1.1 x 5 x 6mm pqfn 5x6 8l (power 56) 示意图 pqfn8l-56 packing drawing pqfn26l sps 56 dc, packing drawing	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行:22CA 第三行:N7CC	FIT : 5.4 RƟJA : 50 °C/W RƟJC : 2 °C/W 显示更多... Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 Max Reflow Temp : 260

应用领域

笔记本电脑

技术资料

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