FDS6375: 单P沟道2.5V额定PowerTrench® MOSFFET

此P沟道2.5V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对栅极驱动电压范围(2.5V – 8V)广泛的功率管理应用进行了优化

特性

• -8.0 A，-20 V
  
• R_DS(on) = 24 mΩ @ V_GS = -4.5V
  
• R_DS(on) = 32 mΩ @ V_GS = -2.5V
  
• 低栅极电荷（26nC，典型值）
  
• 快速开关速度
  
• 高性能沟道技术可实现极低的r_DS(on)
  
• 高功率和高电流处理能力
  

Application Notes