FDS89161: 100V 双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET

本 N 沟道 MOSFET 采用 Fairchild 先进的 PowerTrench® 工艺制造，该工艺专为实现 rDS(on)、开关性能和坚固性而进行了优化。

特性

• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  
• 最大 r_DS(on) = 105 mΩ（V_GS= 10 V、I_D = 2.7 A
  ）
• 最大 r_DS(on) = 171 mΩ（V_GS = 6 V、I_D = 2.1 A
  ）
• 高性能沟道技术可实现极低的 r_DS(on)
  
• 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes