FDZ1416NZ: 24V 共用漏极 N 沟道 2.5V PowerTrench® WL-CSP MOSFET

此器件特别设计为一个单封装解决方案，以实现Li-Ion电池包保护电路和其他超便携应用。 FDZ1416NZ采用飞兆先进的PowerTrench®工艺和最新“低间距”WLCSP封装工艺设计而成，具有两个共用漏极N沟道MOSFET，可提供双向电流，最大限度地减小了PCB空间和rS1S2(on)。 先进的WLCSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rS1S2(on)融合为一体。

特性

• V_GS = 4.5 V，I_D = 1 A时，最大r_S1S2(on) = 23mΩ
  
• V_GS = 4 V，I_D = 1 A时，最大r_S1S2(on) = 25mΩ
  
• V_GS = 3.1 V，I_D = 1 A时，最大r_S1S2(on) = 28mΩ
  
• V_GS = 2.5 V，I_D = 1 A时，最大r_S1S2(on) = 33mΩ
  
• 只占用2.2 mm2的PCB面积
  
• 超薄封装： 安装至PCB时，高度小于0.35 mm
  
• 高功率和高电流处理能力
  
• HBM静电放电保护等级为>3.2kV（注3）
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes