FOD8316: 具有去饱和检测和隔离故障检测的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光电耦合器

FOD8316 是一个 2.5A 的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分 1200V/150A IGBT/MOSFET。 它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。 它为您提供必要的保护功能，避免发生故障，从而确保 IGBT 不会由于过热损坏。

它采用飞兆专有的共面封装技术，Optoplanar®，优化了IC设计，通过高共模抑制和电源抑制规格特点实现了高抗噪能力。

它包括一个具有低 RDS（ON CMOS 晶体管以轨到轨驱动 IGBT 的集成栅极驱动光电耦合器，和一个用于故障检测的集成高速隔离反馈。 该器件采用紧凑的 16 引脚小型塑料封装，符合 8 毫米的爬电距离和电气间隙的要求。

特性

• 具有共模抑制特点的高抗噪能力
  • 35kV/µ 最小共模抑制(CMR) (Vcm = 1500Vpk)
• 35kV/µ 最小共模抑制(CMR) (V_cm = 1500V_pk)
• 2.5A 峰值输出电流驱动能力，可驱动大部分 1500V/150A IGBT
• 光隔离故障检测感测反馈
• IGBT“软”断开
• 内置 IGBT 保护功能
  • 去饱和检测
  • 欠压锁定保护
• 去饱和检测
• 欠压锁定保护
• 1,414 V（峰值）额定工作电压
• 8,000 V（峰值）额定瞬态隔离电压
• 15V至30V的宽电源电压范围
  • 使用输出级的P沟道MOSFET可使输出电压摆幅接近供电轨（轨到轨输出）
• 使用输出级的P沟道MOSFET可使输出电压摆幅接近供电轨（轨到轨输出）
• 3.3V/5V, CMOS/TTL 兼容输入
• 高速
  • 500ns（最大值）在整个工作温度范围内的传播延迟
• 500ns（最大值）在整个工作温度范围内的传播延迟
• 扩展工业温度范围在 -40 至 100°C之间
• 安全和法规
  • 1分钟 UL1577，4,243 VRMS。
  • DIN EN/IEC 60747-5-5
• 1分钟 UL1577，4,243 VRMS。
• DIN EN/IEC 60747-5-5
• R_DS(ON) = 1Ω（典型值），可实现更低的功耗
• 用户可配置：反相，非反相，自动复位，自动关机
• 8mm 爬电和安全距离

Application Notes