FQA24N50: N 沟道 QFET® MOSFET 500 V，24 A，200 mΩ

不推荐新设计使用截至2013年12月13日

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合高效开关电源、功率因素校正和半桥电子灯整流器。

FQA24N50 数据手册
特性
  • 24 A、500 V、RDS(on) = 200 mΩ（最大值）（VGS = 10 V、ID = 12 A）
  • 低栅极电荷（典型值 90 nC)
  • 低 Crss（典型值 55 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
Ordering Code 订购信息
产品产品和生态状况替代部件编号包装方法规则丝印标记
FQA24N50不推荐新设计使用截至2013年12月13日 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日  中国 RoHSFDA24N50
TO-3PN 3L  -  4.8 x 15.6 x 38.7mm,  管装第一行$Y (飞兆徽标)
&Z (工厂编码)
&3 (3 位日期代码)
&K

第二行FQA

第三行24N50

应用指南
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