FQD3P50: P-Channel QFET® MOSFET -500V, -2.1A, 4.9Ω

该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

特性

• -2.1 A, -500 V, R_DS(on) = 4.9 Ω（最大值）（V_GS = 10 V 且 I_D = -1.05 A 时）栅极电荷低（典型值：18nC)
• 低 C_rss（典型值9.5pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试

Application Notes