FQP15P12: P 沟道 QFET® MOSFET -120 V、-15 A、0.2 Ω

该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些设备适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

特性

• -15 A、-120 V、R_DS(on) = 0.2 mΩ（最大值）（V_GS= -10 V、I_D = -7.5 A）
• 低栅极电荷（典型值 29 nC)
• 低 Crss（典型值 110 pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 175°C 最大结温额定值

Application Notes