FQP6N70: 700V N-Channel QFET®

不推荐新设计使用截至2006年2月05日

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been expecially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supply.

FQP6N70 数据手册
特性
  • 6.2 A, 700V, RDS(on) = 1.5Ω @VGS = 10 V
  • Low gate charge ( typical 30 nC)
  • Low Crss ( typical 15 pF)
  • Fast switching
  • 100% avalanche tested
  • Improved dv/dt capability
Ordering Code 订购信息
产品产品和生态状况替代部件编号包装方法规则丝印标记
FQP6N70不推荐新设计使用截至2006年2月05日 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日  中国 RoHS无
TO-220 3L  -  4.83 x 10.16 x 8.89mm,  管装第一行$Y (飞兆徽标)
&Z (工厂编码)
&3 (3 位日期代码)
&K

第二行FQP

第三行6N70

应用指南
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