FQP9P25: P 沟道 QFET® MOSFET -250 V、-9.4 A、620 mΩ

该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

特性

• -9.4 A、-250 V、R_DS(on) = 0.62 Ω（最大值），需 V_GS = -10 V、I_D = -4.7 A栅极电荷低（典型值：29nC)
• 低 C_rss（典型值27pF）
• 100% 经过雪崩击穿测试

Application Notes