FQPF9N50C: N 沟道 QFET® MOSFET 500 V、9 A、800 mΩ

不推荐新设计使用截至2013年10月30日

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合高效开关电源、功率因数校正和半桥拓扑的电子灯整流器。

FQPF9N50C 数据手册
特性
  • 9 A、500 V、RDS(on) = 800 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 4.5 A
  • 低栅极电荷（典型值 28 nC)
  • 低 Crss（典型值 24 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
Ordering Code 订购信息
产品产品和生态状况替代部件编号包装方法规则丝印标记
FQPF9N50C不推荐新设计使用截至2013年10月30日 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日  中国 RoHSFDPF8N50NZ
TO-220F 3L  -  4.7 x 10.06 x 15.87mm,  管装第一行$Y (飞兆徽标)
&Z (工厂编码)
&3 (3 位日期代码)
&K

第二行FQPF

第三行9N50C

FQPF9N50CT废弃截至2011年12月14日 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日  中国 RoHSFDPF8N50NZTO-220F 3L  -  4.7 x 10.06 x 15.87mm,  管装第一行$Y (飞兆徽标)
&Z (工厂编码)
&3 (3 位日期代码)
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第二行FQPF

第三行9N50CT

FQPF9N50C0.70.655150
FQPF9N50CT0.70.655150
应用指南
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