FSB660A:PNP低饱和晶体管

实物参考图

FSB660A 实物参考图

应用
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FSB660A 量产 $0.1058 SSOT 3L 示意图
胶带卷轴
第一行:E(空间) 
Y (二进制历年编码) 
第二行:660A
FIT :  1.9  
RTHETA (JA) :  250  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  1  
应用指南
应用指南 说明
AN-1025 Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-3 Power MOSFETs(260 K) 2011年3月05日
AN-1026 Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETs(226 K) 2011年6月14日
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概述 文档编号 版本
PNP低饱和晶体管 FSB660A 1