FSB660A:PNP低饱和晶体管

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产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FSB660A	量产	$0.1058	SSOT 3L 示意图胶带卷轴	第一行:E(空间) Y (二进制历年编码) 第二行:660A	FIT : 1.9 RTHETA (JA) : 250 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1

应用指南	说明
AN-1025	Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-3 Power MOSFETs(260 K) 2011年3月05日
AN-1026	Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETs(226 K) 2011年6月14日

概述	文档编号	版本
PNP低饱和晶体管	FSB660A	1