H11AG1M系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管,与硅光电晶体管耦合,采用双列直插封装。 该器件拥有独有的特性,即在低输出电压和低输出电流时都具备较高的电流转换比率。 这使得该器件成为低功耗逻辑电路、电信设备和便携电子隔离应用的理想选择。
H11AG1M.pdf |
产品 | 产品和生态状况 | 单价/1K | 包装方法规则 | 丝印标记 |
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H11AG1VM | 量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | $0.4837 | MDIP 6L
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3.405 x 8.51 x 6.35mm,
批量
| 第一行N/A
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H11AG1M | 量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | $0.4525 | MDIP 6L
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3.405 x 8.51 x 6.35mm,
批量
| 第一行N/A
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H11AG1SM | 量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | $0.4681 | MDIP 6L
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3.405 x 8.51 x 6.35mm,
批量
| 第一行N/A
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H11AG1SR2M | 量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | $0.4837 | MDIP 6L
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3.405 x 8.51 x 6.35mm,
批量
| 第一行N/A
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H11AG1TVM | 量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS | $0.5306 | MDIP 6L
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3.405 x 8.51 x 6.35mm,
批量
| 第一行N/A
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