KSC1009:NPN外延硅晶体管

技术特性
  • 高集电极-基极电压: VC=160V
  • 集电极电流: I C =700mA
  • 集电极损耗: PC =800mW
  • KSA709的补充器件
  • 后缀“-C”表示中心集电极(1. 发射极 2. 集电极 3. 基极)高电压放大器
实物参考图

KSC1009 实物参考图

应用
  • 服务器和大型机 工作站 台式计算机 笔记本电脑 PC服务器 多媒体平板电脑 存储和外设 打印机 图形卡 LCD监视器 CRT/RPTV 其他数据处理 路由器和LAN网关 SAN 长途列车与地铁 宽带接入 宽带调制解调器 企业语音网络 中央办公室 广播和工作室 其他有线通信 手机 WLAN网卡和宽带接入 WLAN接入点/路由器 移动通信基础设施 外部AC-DC商用电源-有线通信 其他无线通信 PMP/MP3播放器 家用音频系统组件 CRT/RPTV LCD 电视 PDP电视 摄像机 DVD机 机顶盒 DSC 视频游戏机 电子书阅读器 消费型设备 AC-DC商用电源-视频游戏机、平板电视、DVR、STB 其他音频与视频 其他消费型电子 医疗电子/设备 自动化 测试和测量 楼宇和住宅控制 其他工业 军用和民用航空
订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
KSC1009YTA 量产 $0.0225 TO-92 3L 示意图  第一行:C1009
第三行:Y-3 (3 位日期代码) 
FIT :  3.6  
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  NA  
Max Reflow Temp :  999  
应用指南
应用指南 说明
AN-1025 Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-3 Power MOSFETs(260 K) 2011年3月05日
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概述 文档编号 版本
NPN外延硅晶体管 KSC1009 1