该器件主要设计用于低电平音频和带高阻抗信号源的通用应用。 采用工艺89设计
实物参考图 |
应用
|
产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
MMBF5460 | 量产 | $0.5655 | SOT-23 3L 示意图
胶带卷轴 |
第一行:Y (二进制历年编码) 第二行:6E |
FIT : 5.7 RTHETA (JA) : 556 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 |
应用指南 | 说明 |
AN-1025 | Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-3 Power MOSFETs(260 K) 2011年3月05日 |
概述 | 文档编号 | 版本 |
P-沟道通用放大器 | MMBF5460 | 1 |