该器件主要是设计用于低导通阻抗模拟开关等电子开关应用。 采用工艺50设计
实物参考图 |
应用
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产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
MMBF5486 | 量产 | $0.0551 | SOT-23 3L 示意图
胶带卷轴 |
第一行:Y (二进制历年编码) 第二行:6H |
FIT : 5.7 RTHETA (JA) : 556 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 |
应用指南 | 说明 |
AN-1025 | Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-3 Power MOSFETs(260 K) 2011年3月05日 |
概述 | 文档编号 | 版本 |
N沟道RF放大器 | MMBF5486 | 1 |