N沟道开关。该器件设计用于强制性要求极低导通电阻的模拟或数字开关应用。 采用工艺58设计
实物参考图 |
应用
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产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
MMBFJ110 | 量产 | $0.1102 | SSOT 3L 示意图
胶带卷轴 |
第一行:E(空间) Y (二进制历年编码) 第二行:110 |
FIT : 5.7 Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 Max Reflow Temp : 260 |
应用指南 | 说明 |
AN-1025 | Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-3 Power MOSFETs(260 K) 2011年3月05日 |
AN-1026 | Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETs(226 K) 2011年6月14日 |
概述 | 文档编号 | 版本 |
N沟道开关 | MMBFJ110 | 1 |