NDS352AP: -30V P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 推荐使用FDN352AP

这些P沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 这些器件特别适合笔记本电脑电源管理、便携电子产品及其他电池供电电路等低电压应用，此类应用需要在很小尺寸的表面贴装封装中实现快速高侧开关和低线内功率损耗。

特性

• -0.9 A, -30 V
  
  • RDS(ON) = 0.5 Ω (VGS = -4.5 V)
  • RDS(ON) = 0.3 Ω (VGS = -10 V)
• RDS(ON) = 0.5 Ω (VGS = -4.5 V)
  
• RDS(ON) = 0.3 Ω (VGS = -10 V)
  
• 工业标准外形SOT-23贴片封装采用专有的SuperSOT-23设计，具有优异的热性能和电气性能。
  
• 高密度单元设计可实现极低的 RDS(ON)。
  
• 出色的导通阻抗和最大的DC电流能力。
  

Application Notes