该器件设计用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波稳定放大器。 采用工艺51设计。
实物参考图 |
应用
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产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
PF5102 | 量产 | $0.0458 | TO-92 3L 示意图 散装 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) 第二行:PF 第三行:5102 |
FIT : 5.7 RTHETA (JA) : 357 °C/W RƟJC : 125 °C/W |
应用指南 | 说明 |
AN-1025 | Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-3 Power MOSFETs(260 K) 2011年3月05日 |
概述 | 文档编号 | 版本 |
N沟道低频低噪声放大器 | PF5102 | 1 |