SI4532DY: 双N＆P沟道增强模式场效应晶体管

这些双N和P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 这些器件特别适合笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路中的低电压应用，此类应用需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力。

特性

• N沟道、3.9 A、30V
  
• R_DS(ON) = 0.065Ω @ V_GS = -10 V
  
• R_DS(ON) = 0.095 Ω @ V_GS = 4.5V
  
• P沟道、-3.5 A、-30V
  
• R_DS(ON) = 0.085Ω @ V_GS = -10 V
  
• R_DS(ON) = 0.190 Ω @ V_GS = -4.5V
  
• 高密度设计可实现极低的R_DS(ON)
  
• 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
  
• 表面贴装封装中的双（N和P沟道）MOSFET
  

Application Notes