这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面DMOS技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻,提供卓越开关性能,以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合半桥配置的电子整流器。
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