DS3508:I²C、8通道gamma缓冲器,带有EEPROM

低功耗、低成本LCD gamma发生器,带有EEPROM

DS3508是可编程的8通道gamma电压发生器,每通道具有一个字节的片内EEPROM和一个字节的SRAM存储器。每个通道由一个独立的8位DAC和对应的一对EEPROM/SRAM组成。上电时,非易失(NV) EEPROM gamma数据加载到对应的SRAM寄存器,以驱动对应的8位DAC。通过一个片内控制寄存器可选择控制写入SRAM/EEPROM或仅写入SRAM。 DS3508设计具有低功耗特性,VDD供电时仅消耗小于2mA (典型)的电流。编程通过I²C兼容的串行接口实现,支持高达400kHz通信速度。

关键特性
  • 8位gamma DAC,8个通道
  • 每通道1字节EEPROM和1字节SRAM
  • 超低功耗(2mA IDD、典型)
  • 400kbps I²C接口
  • 9.0V至15.5V的模拟输入
  • 2.7V至5.5V的数字输入
  • 20引脚TSSOP封装
  • 地址引脚允许两个DS3508挂接在同一个I²C总线
DS3508:典型工作电路
DS3508:典型工作电路
应用
  • 工业控制
  • TFT-LCD gamma缓冲器
数据手册DataSheet
语言下载文件备注
英文DS3508.pdfRev 1; 03/2008
关键参数
Part NumberTotal ChannelsProgrammable ChannelsResolution
(bits)
Integrated Nonvolatile MemoryVCOM CalibratorVCOM BufferInterfaceVSUPPLY
(V)
IQ
(mA)
Oper. Temp.
(°C)
Package/PinsBudgetary
Price
See Notes
DS3508888YesNoNoI2C9 to 15.54-45 to +95TSSOP/20$0.89 @1k
质量和环境数据
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订购型号
型号状况推荐替代产品封装温度RoHS/无铅
DS3508E+生产中TSSOP,;20引脚;45.2mm²-40°C至+85°CRoHS/无铅:无铅
DS3508E+T&R停止供货TSSOP,;20引脚;45.2mm²-40°C至+85°CRoHS/无铅:无铅
DS3508E+T&R/C停止供货TSSOP,;20引脚;45.2mm²-40°C至+85°CRoHS/无铅:无铅
DS3508.pdf DS3508
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典型工作电路 DS3508