数据手册：MAX8794 低成本、低电压DDR线性稳压器，可源出、吸入3A峰值电流(典型值)，内置n沟道MOSFET .pdf [英文Rev.2(PDF,272kB)]
数据手册：MAX8794 低成本、低电压DDR线性稳压器，可源出、吸入3A峰值电流(典型值)，内置n沟道MOSFET .pdf [中文Rev.2(PDF,840kB)]
{状况：生产中。}MAX8794 DDR线性稳压器使用内置n沟道MOSFET，可以源出或吸入最高3A (典型值)的峰值电流。该线性稳压器利用低电压电源输入(VIN = 1.1V至3.6V)可以提供精确的0.5V至1.5V输出。MAX8794使用独立的3.3V偏置电源为控制电路供电，并驱动内部n沟道MOSFET。 MAX8794具有限流及过热保护功能，避免损坏线性稳压器。此外，MAX8794能够产生电源就绪(PGOOD)信号，指示线性稳压器是否处于稳压状态。启动时，PGOOD在输出稳定2ms (典型值)之前保持低电平。内部软启动限制了输入浪涌电流。 MAX8794为需要跟踪输入基准的有源DDR端接总线供电。MAX8794还可用于需要动态调节输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核中。MAX8794采用10引脚、3mm x 3mm、TDFN封装。
产品关键特性
| 应用与使用范围
|
典型工作电路
芯片订购型号
| 订购型号 | 产品状态 | 封装形式 | 工作温度 | RoHS/无铅 |
| MAX8794ETB+ | 生产中 | TDFN-EP；10引脚；9.6mm²封装信息 | -40°C至+85°C | RoHS/无铅：无铅材料分析 |
| MAX8794ETB+T | 生产中 | TDFN-EP；10引脚；9.6mm²封装信息 | -40°C至+85°C | RoHS/无铅：无铅材料分析 |
| MAX8794ETB/V+ | 生产中 | TDFN-EP；10引脚；9.6mm²封装信息 | -40°C至+85°C | RoHS/无铅：无铅材料分析 |
| MAX8794ETB/V+T | 生产中 | TDFN-EP；10引脚；9.6mm²封装信息 | -40°C至+85°C | RoHS/无铅：无铅材料分析 |
- MAX8794 : 低电压、DDR线性稳压器 MAX8794
- MAX8794 : 低电压、DDR线性稳压器 MAX8794
