技术特性
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封装图 PACKAGE DIMENSIONS |
| 评估板 | 状况 | 无铅(Pb-free) | 简短说明 |
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| ONS321A5VGEVB | Active | FET EVAL BD W 5V VGS DR | |
| ONS321B12VGEVB | Active | FET EVAL BD W 12V VGS DR |
| 产品 | 状况 | Compliance | 具体说明 | 封装 | MSL* | 容器 | 预算价格 (1千个数量的单价) | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 类型 | 外形 | 类型 | 数量 | ||||||||
| NTMFS4983NFT1G | Active |
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Power MOSFET 30V 106A 2.1 mOhm Single N-Channel SO-8FL with Schottky Diode | SO-8FL / DFN-5 | 488AA | 1 | Tape and Reel | 1500 | $0.6667 | ||
| NTMFS4983NFT3G | Active |
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Power MOSFET 30V 106A 2.1 mOhm Single N-Channel SO-8FL with Schottky Diode | SO-8FL / DFN-5 | 488AA | 1 | Tape and Reel | 5000 | $0.6667 | ||
| 概述 | 文档编号/大小 | 版本 |
| Power MOSFET 30V 106A 2.1 mOhm Single N-Channel SO-8FL with Schottky Diode | NTMFS4983NF/D (94.0kB) | 2 |