NE3512S02

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NE3512S02.pdf
Basic Information
Package TypeS02
ApplicationC to Ku-Band
Target applicationBS/CS LNB
FunctionGaAs,HJ-FET
f at NF (GHz)12
NF (dB) typ.0.35
VDS [V]4
Ga(dB) typ.13.5
f at Ga (GHz)12
IDSS (mA) min.15
IDSS (mA) max.70
Nch/PchNch
Production StatusEOL
订购型号
型号状态产品长期供应计划预算价格(1000片) 包装明星产品RoHS
NE3512S02-T1D-AEOL-| MOQ:| WRAP_SPEC:Tape & Reel| OTHER_ENV:false无铅
NE3512S02-T1C-AEOL-| MOQ:| WRAP_SPEC:Tape & Reel| OTHER_ENV:false无铅
NE3512S02-AEOL-| MOQ:| WRAP_SPEC:Non reel| OTHER_ENV:false无铅
NE3512S02 DS Feb.01.06;undefined;194.1 Kbytes